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更高击穿电压及抗雪崩能力更低导通电阻的功率MOSFETST万芳

发布时间:2020-02-14 12:44:44 阅读: 来源:振动盘厂家

更高击穿电压及抗雪崩能力、更低导通电阻的功率MOSFET(ST)

意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管,击穿电压更高,抗涌流能力更强,电能损耗更低,特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。

STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品,此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比,意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大,可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个 单一950V MOSFET取代双晶体管电路,从而简化电路设计,缩减尺寸,减少元器件数量。

此外,STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品,这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌,因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A,而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。

除更强的耐高压能力外,STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。

同时,因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容,这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3技术。新产品采用工业标准封装:STF7N95K3采用 TO-220FP封装;STP7N95K3采用标准的TO-220封装;STW7N95K3采用TO-247封装。

随后将推出的新产品是:950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850V、950V、1050V和1200V系列产品。

STx7N95K3系列已投产。

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